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[电脑diy] 内存超频秘笈 [复制链接]

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超级斑竹

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发表于 2008-2-16 23:55:56 |显示全部楼层

<div id="postmessage_9161852" class="t_msgfont">急速之旅——DDR2内存超频“秘笈” 
 
(文章来自电脑报2007年第18期D6版/编辑:刘颖)随着DDR内存慢慢退出历史的舞台，DDR2内存一统江湖已成定局。目前，除了普通用户在装机时首选DDR2平台外，许多热爱超频的DIY玩家也将目光锁定在DDR2内存上。面对市场上品牌复杂、规格众多的DDR2内存，怎样才能挑选到极品产品？如何才能让它们发挥最大的潜能？ 
 
超频“神器”怎么选 
一、找准DDR2内存 
1.注意芯片颗粒 
 决定内存超频成败的关键因素首先是内存条所使用的芯片颗粒。DDR2内存中超频性能最优秀的当数美光（Micron）的D9芯片，这种颗粒因芯片上的五位数产品编码以“D9”开头而得名（图1），它又分为大D9（图1）和小D9（图2）两种，大D9属于早期的DDR2产品，超频性能非凡，使用该芯片的DDR2 533内存很多都可以超频到DDR2 900以上的水平，不过已经近乎绝迹。 
 
 目前较常见的小D9颗粒使用90nm制程，颗粒的体积比大D9要小很多，发热量及功耗也相对较低，而且保持了原有的超频水准。D9颗粒的特点是对电压非常敏感，且具备运行在低时序的能力，只要电压加到2.3V以上，频率普遍都可以获得大幅度的提升。 
 


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图1

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图2 
 另外，必尔达（ELPIDA）芯片的性能也不错。这个牌子的颗粒（图3）以前并不出名，在超频玩家中的口碑也不如D9颗粒好。这种颗粒经常用于海盗船和金士顿HyperX系列等高端内存上。该颗粒的特点是对电压不敏感，“高压”并不能带来相应的频率提升，在默认电压或稍微加压下可以取得不错的超频成绩。 


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<div class="t_smallfont">2007-5-10 17:33</div></div>

图32.内存的单双面有讲究 
 除了颗粒的品质，另外一个影响超频性能的重要因素是内存条上颗粒的数目。现在的主流DDR2内存一般都是单面8颗粒或双面16颗粒的产品，例如一条容量为1GB的内存，可以是由单面8个128MB的颗粒（即128MB×8）组成，也可以是由双面16个64MB的颗粒（即64MB×16）组成。 
 
 很多资深的超频玩家都知道，相同品牌、相同系列的内存条，单面的要比双面的更具超频潜力。这是因为内存颗粒数量的翻倍，使得PCB板上的信号线数量也跟着翻倍，相互之间产生干扰的机率也就随之增加，并且对内存供电电路的要求也更苛刻，从而影响超频能力。 
 
 另外，即使是同一厂家生产的同一种内存颗粒，在个体的超频体质上也存在差异。只要同一条内存上的某个颗粒在超频性能上拖了后腿，就决定了这条内存的超频性能一般。 
 
 一般来说，颗粒越多的内存或使用越久的内存条，碰上坏颗粒的机率就越大。现在很多厂商在内存出厂前就对产品进行严格的测试，并把兼容性好、性能相近的两条内存搭配成一对，以“套餐”形式出售，因此购买该类套装产品也能提高双通道内存超频的成功率。 
 
3.内存选购的两个误区 
 （1）只重视颗粒不重视PCB板做工。 
 很多玩家在选购内存条时往往只注意挑选内存颗粒，而忽视了内存的PCB板的做工和用料。一些二、三线品牌的内存虽然使用了优秀的超频颗粒，但为了节省成本，在PCB板用料上缩水，把一些小元件省掉或者使用小板的PCB板。这样的内存在超频性能上很难达到预期的效果。 
 
 （2）只重视品牌、系列，忽略了内存的版本。 
 以海盗船的“CM2X××××-6400 XMS6405”系列内存为例，笔者听不少人说该系列内存超频性能超强，但购买后却发现虽然可以超频，但与别人的超频幅度相比有不小的差距。经过对比，才发现自己的内存版本与别人不同，不同版本所使用的内存颗粒存在差异。超频能力超强的是v1.1、v1.2、v1.4的，而笔者的是v4.1版本（内存条左上方有版本号，见图4），后来出的v8.1版本超频性能更强，因此提醒大家在选购时应该注意。 
 
 


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图4二、什么样的主板适合超频 
 作为承载CPU、内存、显卡等配件的“基础设施”，主板在整机中的关键地位无人能及。即使挑选到了优秀的内存，没有一块适合超频的主板，内存的潜力也无法得到发挥。主板对内存超频性能的影响，可分为“硬”件和“软”件两个方面。 
 
1.“硬”件方面——高品质的内存供电模块 
 主板上的内存供电模块直接影响着整机的稳定性以及内存的超频性能，只有让内存“吃”得饱，才能让内存跑得快。内存供电模块一般被设计在内存插槽的附近，一个比较完整的内存供电电路通常是由滤波电容、扼流线圈、 MOSFET管这三大部分所组成，除了能够为内存提供更加纯净、稳定的电流之外，还起到了降压和限流的作用，以此来保证内存可以正常甚至超常的工作。 
 
 现在最常见的组合方案一般是由“N个滤波电容+1个扼流线圈+N个MOSFET管”来组成一个相对独立的单相供电电路。DDR2内存的工作电压分为核心工作电压和I/O工作电压两部分，核心工作电压核定为1.8V，I/O工作电压为3.3V。因此，理想的内存供电方案应该由两路完整的不同电压的供电电路来完成。下面笔者就具体说说如何判断一块主板的内存供电模块的优劣。 
 
 第一类是最理想的供电方案——两组“N个滤波电容+1个扼流线圈+N个MOSFET管”，分别为核心、I/O工作电压供电。选购重点是内存插槽附近有两个扼流线圈，并且密密麻麻地布满滤波电容和MOSFET管（图5）。这类设计一般出现在以超频性能突出为卖点的中高端主板上，选购这样的主板能让你的超频事半功倍。 
 


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图5 第二类是保留两路独立的供电电路，但省掉I/O供电电路中的扼流线圈，即“N个滤波电容+1个扼流线圈+N个MOSFET管”加“N颗滤波电容+N个MOSFET 
管”。选购重点是内存插槽附近只有一个扼流线圈，但滤波电容和MOSFET管的数量比较可观（图6）。因为内存对I/O工作电路的供电要求并不是非常严格，所以这类供电方案对内存的稳定性影响不大，在这类主板中往往也有很多超频性能不错的产品。另外，有些主板虽然有1个扼流线圈，但附近的滤波电容和MOSFET管数量稀疏，这类产品不宜购买。 
 
 


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图6 
 第三类是超频玩家坚决抵制的“缩水”主板，这些主板往往把两路供电电路中的扼流线圈省掉，甚至干脆把I/O供电整路都省掉，而利用电源中的3.3V输出直接为内存I/O供电。选购时应注意的特点是内存插槽周围一个扼流线圈都看不到，而附近的滤波电容和MOSFET管数量少得可怜（图7）。这类主板就连正常工作的稳定性都值得怀疑，更别说超频了。 
 
 


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图72.“软”件方面——BIOS中有丰富的内存调节选项 
 有很多品牌机上使用的主板做工非常优秀，但BIOS中却缺少内存的参数调节选项，玩家想要超频却无从下手。可见，要发挥内存超频潜力，合理的主板BIOS选项设计也不可或缺。 
 
 一款适合超频的主板BIOS中，应该提供丰富的内存时序参数调节菜单（图8），依好时序参数的微调，超频高手经常可以最大程度地发掘内存的潜力。另外，大幅度的电压调节选项也是必需的。例如前面说过的对电压非常敏感的D9颗粒，很多时候都是加到2.8V的电压才达到超频极限，而很多主板仅提供最高2.3V的电压调节。因此在选择主板时要留意这一点，别让主板拖了内存的后腿。 
 
 


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图8 
DDR2内存超频“绝技” 
 购买超频配件之前，有一些“功课”必须先做好。首先参考一下《电脑报》等专业媒体的评测，再和其他玩家交流一下心得，初步定下购买方案，并且详细记录好各种硬件的型号。最好有几个备选方案，因为一些口碑好的配件在市场上不一定能买到。 
 
 当然，超频前最好用CPU－Z或EVEREST等软件查看一下内存的默认SPD参数（图9），以便对内存的主要时序参数有初步的了解，产品包装上的标称参数与实际可能会略有出入。 
 


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图9 
1.分频系数的设定 
 无论是什么平台的超频，都必须先了解该平台的内存分频方式，这是超频能否成功的关键。我们知道，内存的运行频率会随着CPU外频的逐步提高而提升，可以用超频CPU外频的方法来超频内存，它们的运行频率之间会保持一定的倍数关系，这就是由内存分频决定的。具体的分频方式因不同平台而异。 
 
（1）AMD平台 
 目前主流的AMD CPU都在内部集成了内存控制器，所以无论搭配什么主板，其内存分频机制都是一定的。每一个确定了硬件配置的AMD平台都有其固定的内存分频系数，这些系数影响着内存的实际运行频率。 
 
例如，AM2接口的Athlon64 3000+搭配DDR2 667内存时，我们在BIOS里把内存频率设置为DDR2 667，而此时内存实际工作在DDR2 600下，这就是由内存分频系数引起的。由于此时BIOS的设置值并非内存的实际工作频率，因此我们把BIOS中的设置值称为内存标称频率。 
 
AMD平台内存分频系数的具体计算方法如下：分频系数N=CPU默认主频×2÷内存标称频率，得到的数字再用“进一法”取整数。注意，“进一法”不是四舍五入，而是把小数点后的数字舍掉，在前面的整数部分加1。这时，内存实际运行频率=CPU实际运行主频÷分频系数N。 
 
以上面所说的AM2 Athlon64 3000+搭配DDR2 667内存为例，N=1800×2÷667≈5.397，取整数=6，此时内存的实际运行频率=1800MHz÷6=300MHz，即DDR2 600。如果在BIOS中把内存设置为DDR2 533，则用上述公式计算得出其分频系数N=7，内存实际工作在DDR2 517下。 
 
不同频率的内存搭配不同主频的CPU时，其内存分频系数又各不相同。如果CPU换成3200+，默认频率为2GHz，则在DDR2 667时，N=2000×2÷667，取整数为6，DDR2 533时，N=2000×2÷533，取整数为8，平台的硬件配置不同，则系数N不同。 
 
根据上面的公式，我们可以算出超频后的内存实际运行频率，让超频具有前瞻性，以便结合不同内存的体质选择适合的分频方式，充分发挥内存的潜力。 
 
对AMD平台而言，直接关系到超频幅度的三个决定性因素分别为：CPU、内存、HT总线，其中任何一项拖了后腿，整个平台的超频幅度都大受影响。我们可以人为地降低CPU倍频和HT总线倍频，以减少CPU和HT总线对超频结果的影响，这时进行超频就可以确定内存的超频极限。 
 
（2）Intel平台 
Intel平台的内存控制器一般集成在主板芯片上，其分频机制也由不同的主板芯片来决定。Intel平台的内存分频系数=CPU外频：内存运行频率。以目前主流的Intel 965/975芯片组为例，其分频机制非常明了，在BIOS中直接提供几个固定的分频系数（图10）。例如1∶1、1∶1.33、1∶1.66等等，E6300的默认外频为266MHz，如果分频系数设置为1∶1.33，则内存实际运行频率=266MHz×1.33=353.78MHz，即DDR2 707。 
 
 Intel 平台上直接关系到超频幅度的三个决定性因素分别为：CPU、内存、FSB总线，其中FSB总线值固定为CPU外频的四倍。Intel 965/975芯片组的分频系数都小于1，分频系数越小，内存运行频率相对于CPU外频的倍数就越大，我们选择越小的分频系数，就可以降低CPU体质对平台整体超频结果的影响，从而测试出内存的极限超频频率。在NVIDIA的nForce680i芯片组上还提供大于1的分频系数，可以让内存低于CPU外频频率运行。 
 
 


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图10 
2.测试内存对电压的敏感程度 
 尽管适当增加内存工作电压可以提升其超频能力，但并非所有内存都适合此法。因此，我们要先检验内存对电压的敏感程度。DDR2和DDR的最大区别是DDR2颗粒采用了更先进的FCBGA封装，工作电压只有1.8V，而DDR为2.5V。DDR2内存的发热量更小，在承受电压方面要比DDR好，即使把DDR2的工作电压加到2.3V甚至更高，也比较安全。 
 
 按照前面介绍的方法，先在默认电压下对内存的超频极限进行测试，记录下该数值。然后在BIOS的内存电压设置选项中把电压加到2.3V左右（图11）。根据笔者的经验，0.5V的电压提升可以区别出大部分内存对电压是否敏感。 
 
 接下来再次测试内存的超频极限，如果发现内存的极限工作频率得到不小的提高，说明该内存颗粒对电压敏感，下一步可以逐级提升电压，同时加强机箱内部环境的散热。使用D9颗粒的内存，极限工作频率一般都会随着每次电压的提升而提高，电压的上限建议不要超过2.8V。相反，如果加到2.3V后内存极限工作频率并未得到有效的提升，说明该颗粒对电压不敏感，例如前面说到的必尔达颗粒，那我们只能考虑从时序参数方面来继续发掘内存潜力。 
 


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图113. 微调内存时序参数 
 无论内存颗粒对电压是否敏感，我们都可以通过对时序参数的微调，来进一步发挥内存的潜力。超频时一般先参考SPD的值来设置内存时序，在内存频率无法继续提升时才修改时序参数来换取更高的内存运行频率。 
 
 设置时序参数可在BIOS中进行，但每修改一次参数就必须重新启动两次电脑，如果出现黑屏则必须清除CMOS，很麻烦。我们可以选用Windows下的内存时序调节软件来实时修改各项参数。笔者推荐使用MemSet，该软件支持目前绝大多数Intel和AMD平台，界面简洁易懂，无须安装，运行后在菜单中选择需要修改的时序参数值（图12），按“Apply”（应用）按钮即可使参数设置生效。 
 
 


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<div class="t_smallfont">2007-5-10 17:33</div></div>

图12 
 内存时序参数有很多，具体设置视不同硬件搭配而定。普通玩家只须调节最前面的四个参数，这四个参数的顺序一般是固定的：CAS# Latency（简称CL值）、RAS# to CAS# Delay（简称tRTC或tRCD）、RAS# Precharge（简称tRP）、Precharge Delay（简称tRAS）。通常，这四个值设置得越大，内存就可以运行在越高的频率下。 
 
 在AMD平台上还有一个更关键的“1T/2T Timing Command Rate”选项（在NVIDIA的nForce680i芯片组主板上也提供了该选项）。其中Command Rate 设置为1T带来的性能提升最为明显（相比2T），建议在超频的情况下尽量选用1T。 
 
 对系统性能起决定作用的还有CL值，CL值越低，内存的速度越快，但同时也增加了不稳定性。对大多数DDR2 667/800内存来说，CL设置为3、4这两个值较为合适，如果要把内存超频到1GHz以上，CL值就相应地调高到5、6。 
 
 tRCD、tRP这两个参数对性能的影响相对较小，数值越高，内存的稳定性越好，所以当内存无法运行在理想的CL值下时，我们首先应该试试调高tRCD、tRP的值，如果还不稳定，再考虑调高CL值。例如，一根DDR2 667内存可稳定运行在4-4-4-12（分别对应CL-tRCD-tRP-tRAS，下同）参数下，超频到DDR2 800后不稳定，这时应先调整为4-5-5-12，如果仍不稳定再考虑5-4-4-12的参数搭配。tRAS值一般都是先设置为较大值（如12或15），等确定了前面3个参数后，再逐步降低该值，以进一步提升性能。 
 
 前面介绍的这四个时序参数调整好之后，内存的超频潜能基本可以得到发挥了，至于后面的那些参数，对内存性能提升的影响远不如这四大参数那么明显，不过也不能小看这些参数，很多内存的超频记录就是在对这些不起眼的参数的多次微调中产生的。 
 
 对于不同的内存条而言，后面这些参数的最佳搭配各不相同，耐心反复调试各组参数搭配，找到最佳搭配，可以让内存的超频极限得到一点提高，希望创造超频记录的朋友可以试试，而普通玩家采用默认值即可。使用MemSet确定系统的时序参数之后，再把对应的数值设置到BIOS中，对内存的超频即告结束。 
 
结语 
 在整个平台的超频体系中，内存的可调节性最大，顶级的超频高手之所以能够化腐朽为神奇，不断地刷新超频记录，就是因为他们熟练掌握了驾驭内存的能力。希望通过本文对DDR2内存使用经验的介绍，可以帮助大家更好地玩转超频。（一片枫叶） 
 
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[ 本帖最后由 yecp 于 2008-4-2 22:20 编辑 ]

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